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基本信息

Hynix 海力士芯片生產商源于韓國品牌英文縮寫"HY"海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士.代表理事:權吾哲(???)。

海力士半導體在1983年以現代電子產業株式會社成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器制造商。

海力士半導體是世界第二大DRAM制造商，也在整個半導體公司中占第九位。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位. 目前在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工21000人(含海外員工).

海力士(Hynix)半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。目前，海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。

海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。

另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。

發展歷程[編輯內容]

1983年2月創立現代電子株式會社

公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營

持續經營報告書倫理經營

倫理經營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志

1984年 9月完成FAB II-A

1985年 10月開始批量生產256K的DRAM

1986年 4月設立半導體研究院

6月舉行第一次員工文化展覽會"Ami Carnical"

1988年 1月開發1M的DRAM

11月在歐洲當地設立公司(HEE)

1989年 9月開發4M的DRAM

11月完成FAB III

1991年3月開發16M的DRAM

1992年11月開發64M的DRAM

1993年 8月接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)

9月獲得半導體類ISO9001證書

1995年10月在世界上首次開發256M的SDRAM

在美國俄勒岡州設立半導體工廠

1996年12月公司股票上市

1997年5月在世界上首次開發1G SDRAM

1998年9月開發64M的DDR SDRAM

1999年 3月出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)

10月合并LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社

2000 4月剝離電子線路設計業務'Hyundai Autonet'

8月剝離顯示屏銷售業務'Hyundai Image Quest'

2001 3月公司更名為"Hynix半導體有限公司"

5月剝離通信服務業務'Hyundai CuriTel'

剝離網絡業務'Hyundai Networks'

7月剝離CDMA移動通信設備制造業務'Hyundai Syscomm'

8月完成與現代集團的最終分離

9月開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002 3月開發1G DDR DRAM模塊

6月在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用于高終端客戶

10月開發0.10微米、512MB DDR

11月出售HYDIS， TFT-LCD業務部門

2003 3月發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

4月宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存

5月采用0.10微米工藝技術投入生產

超低功率256Mb SDRAM投入批量生產12月宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU

7月宣布在世界上首次發表DDR500

8月宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。

2004 2月成功開發NAND閃存

3月行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz

1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證

6月簽訂非內存事業營業權轉讓協議

7月獲得公司成立以來最大的季度營業利潤

8月與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協議11月與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協議

2005

1月與臺灣茂德科技簽訂戰略性合作伙伴協議

3月發布2004年財務報表，實現高銷售利潤

4月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

7月提前從企業重組完善協議中抽身而出

11月業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM

12月世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)3月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證

9月 300mm研究生產線下線

10月創下創立以來最高業績

通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網絡

12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊

開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2006

年創下最高業績及利潤

2007

1月開發出以"晶圓級封裝(Wafer Level Package)"技術為基礎的超高速存儲器模塊

3月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM

發表"生態標記(ECO Mark)"

與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同

與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)

金鐘甲就任新任代表理事、社長

4月 DOC H3開始大量生產

在韓國清州300mm設施開工

實現最高水平的營業利潤率

5月業界最先獲得關于DDR3 DRAM的英特爾產品認證

7月發表企業中長期總體規劃

8月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP

10月與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同

與環境運動聯合(韓國)簽署關于在環境管理上進行合作的合同

11月 WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM

12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)

2008

1月發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2月引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月與ProMOS公司簽署關于加強長期戰略性合作的修改案

8月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用metaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM

為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大

11月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月世界最先開發2Gb Mobile DRAM

2009年

1月世界最先獲得關于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證

2月世界最先開發44nm DDR3 DRAM

3月世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證

4月世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

獲得榮譽[編輯內容]

1984年9月完成FAB II-A

1985年10月開始批量生產256K的DRAM

1986年

4月設立半導體研究院

6月舉行第一次員工文化展覽會"Ami Carnical"

1988年

1月開發1M的DRAM

11月在歐洲當地設立公司(HEE)

1989年

9月開發4M的DRAM

11月完成FAB III

1991年

3月開發16M的DRAM

1992年

11月開發64M的DRAM

1993年

8月接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)

9月獲得半導體類ISO9001證書

1995年

10月在世界上首次開發256M的SDRAM

在美國俄勒岡州設立半導體工廠

1996年12月公司股票上市

1997年5月在世界上首次開發1G SDRAM

1998年9月開發64M的DDR SDRAM

1999年

3月出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)

10月合并LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社

2000

4月剝離電子線路設計業務'Hyundai Autonet'

8月剝離顯示屏銷售業務'Hyundai Image Quest'

2001

9月開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002

3月開發1G DDR DRAM模塊

6月在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用于高終端客戶
10月開發0.10微米、512MB DDR

2003

3月發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

4月宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存

5月采用0.10微米工藝技術投入生產

超低功率256Mb SDRAM投入批量生產12月宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU

7月宣布在世界上首次發表DDR500

8月宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。

2004

2月成功開發NAND閃存

3月行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz

1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證

7月獲得公司成立以來最大的季度營業利潤

8月與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協議11月與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協議

2005

3月發布2004年財務報表，實現高銷售利潤

4月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

11月業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM

12月世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)3月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證

9月 300mm研究生產線下線

10月創下創立以來最高業績

通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網絡

12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊

開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2006

年創下最高業績及利潤

2007

1月開發出以"晶圓級封裝(Wafer Level Package)"技術為基礎的超高速存儲器模塊

3月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM

發表"生態標記(ECO Mark)"

與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同

與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
4月 DOC H3開始大量生產

在韓國清州300mm設施開工

實現最高水平的營業利潤率

5月業界最先獲得關于DDR3 DRAM的英特爾產品認證

8月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP

10月與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同

與環境運動聯合(韓國)簽署關于在環境管理上進行合作的合同

12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)

2008

1月發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2月引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月與ProMOS公司簽署關于加強長期戰略性合作的修改案

8月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用metaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM

為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大

11月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月世界最先開發2Gb Mobile DRAM

2009年

1月世界最先獲得關于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證

2月世界最先開發44nm DDR3 DRAM

3月世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證

4月世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

1 公司評級
2 基本信息
3 公司介紹
4 發展歷程
5 獲得榮譽

詞條統計

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最近更新：2016-05-10

對發展歷程進行編輯

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<div>1983年2月  創立現代電子株式會社</div>
<div>                   公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營</div>
<div>                   持續經營報告書倫理經營</div>
<div>                   倫理經營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志</div>
<div>1984年        9月完成FAB II-A</div>
<div>1985年        10月開始批量生產256K的DRAM</div>
<div>1986年        4月設立半導體研究院</div>
<div>                    6月舉行第一次員工文化展覽會"Ami Carnical"</div>
<div>1988年        1月開發1M的DRAM</div>
<div>                    11月 在歐洲當地設立公司(HEE)</div>
<div>1989年        9月 開發4M的DRAM</div>
<div>                   11月 完成FAB III</div>
<div>1991年3月   開發16M的DRAM</div>
<div>1992年11月 開發64M的DRAM</div>
<div>1993年        8月 接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)</div>
<div>                    9月 獲得半導體類ISO9001證書</div>
<div>1995年10月 在世界上首次開發256M的SDRAM</div>
<div>                    在美國俄勒岡州設立半導體工廠</div>
<div>1996年12月 公司股票上市</div>
<div>1997年5月   在世界上首次開發1G SDRAM</div>
<div>1998年9月   開發64M的DDR SDRAM</div>
<div>1999年         3月 出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)</div>
<div>                    10月 合并LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社</div>
<div>2000            4月 剝離電子線路設計業務'Hyundai Autonet'</div>
<div>                    8月 剝離顯示屏銷售業務'Hyundai Image Quest'</div>
<div>2001            3月 公司更名為"Hynix半導體有限公司"</div>
<div>                    5月 剝離通信服務業務'Hyundai CuriTel'</div>
<div>                          剝離網絡業務'Hyundai Networks'</div>
<div>                    7月 剝離CDMA移動通信設備制造業務'Hyundai Syscomm'</div>
<div>                    8月 完成與現代集團的最終分離</div>
<div>                    9月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM</div>
<div>2002            3月 開發1G DDR DRAM模塊</div>
<div>                    6月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用于高終端客戶</div>
<div>                    10月 開發0.10微米、512MB DDR</div>
<div>                    11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門</div>
<div>2003            3月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM</div>
<div>                    4月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存</div>
<div>                    5月 采用0.10微米工藝技術投入生產</div>
<div>                    超低功率256Mb SDRAM投入批量生產12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU</div>
<div>                    7月 宣布在世界上首次發表DDR500</div>
<div>                    8月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。</div>
<div>2004            2月 成功開發NAND閃存</div>
<div>                    3月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz</div>
<div>                          1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證</div>
<div>                    6月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議</div>
<div>                    7月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤</div>
<div>                    8月 與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協議11月 與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂                            關于在中國合資建廠的協議</div>
<div>2005</div>
<div>1月 與臺灣茂德科技簽訂戰略性合作伙伴協議</div>
<div>3月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤</div>
<div>4月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮</div>
<div>7月 提前從企業重組完善協議中抽身而出</div>
<div>11月 業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM</div>
<div>12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>1月 發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)3月 業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證</div>
<div>9月 300mm研究生產線下線</div>
<div>10月 創下創立以來最高業績</div>
<div>        通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網絡</div>
<div>12月   業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊</div>
<div>           開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM</div>
<div> 2006</div>
<div>年創下最高業績及利潤</div>
<div> 2007</div>
<div>1月 開發出以"晶圓級封裝(Wafer Level Package)"技術為基礎的超高速存儲器模塊</div>
<div>3月 開發出世界最高速ECC Mobile DRAM</div>
<div>      發表"生態標記(ECO Mark)"</div>
<div>      與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同</div>
<div>      與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)</div>
<div>      金鐘甲就任新任代表理事、社長</div>
<div>4月 DOC H3開始大量生產</div>
<div>      在韓國清州300mm設施開工</div>
<div>      實現最高水平的營業利潤率</div>
<div>5月 業界最先獲得關于DDR3 DRAM的英特爾產品認證</div>
<div>7月 發表企業中長期總體規劃</div>
<div>8月 開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM</div>
<div>9月 以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP</div>
<div>10月  與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同</div>
<div>         與環境運動聯合(韓國)簽署關于在環境管理上進行合作的合同</div>
<div>11月 WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM</div>
<div>12月 成功發行國際可兌換券(global co<em></em>nvertible notes)</div>
<div>2008</div>
<div>1月 發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證</div>
<div>2月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM</div>
<div>5月 與ProMOS公司簽署關于加強長期戰略性合作的修改案</div>
<div>8月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工</div>
<div>       世界最先推出使用me<em></em>taRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM</div>
<div>       為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大</div>
<div>11月 引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM</div>
<div>12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM</div>
<div>2009年</div>
<div>1月 世界最先獲得關于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證</div>
<div>2月 世界最先開發44nm DDR3 DRAM</div>
<div>3月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證</div>
<div>4月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM</div>
<div> </div>
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<div> </div>
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對獲得榮譽進行編輯

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<div>1984年9月 完成FAB II-A</div>
<div>1985年10月 開始批量生產256K的DRAM</div>
<div>1986年</div>
<div>4月 設立半導體研究院</div>
<div>6月 舉行第一次員工文化展覽會"Ami Carnical" </div>
<div>1988年</div>
<div>1月 開發1M的DRAM</div>
<div>11月 在歐洲當地設立公司(HEE)</div>
<div>1989年</div>
<div>9月 開發4M的DRAM</div>
<div>11月 完成FAB III</div>
<div>1991年</div>
<div>3月 開發16M的DRAM</div>
<div>1992年</div>
<div>11月 開發64M的DRAM</div>
<div>1993年 </div>
<div>8月 接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)</div>
<div>9月 獲得半導體類ISO9001證書</div>
<div>1995年 </div>
<div>10月 在世界上首次開發256M的SDRAM</div>
<div>        在美國俄勒岡州設立半導體工廠</div>
<div>1996年12月 公司股票上市</div>
<div>1997年5月 在世界上首次開發1G SDRAM</div>
<div>1998年9月 開發64M的DDR SDRAM</div>
<div>1999年</div>
<div>3月 出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)</div>
<div>10月 合并LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社</div>
<div>2000</div>
<div>4月 剝離電子線路設計業務'Hyundai Autonet'</div>
<div>8月 剝離顯示屏銷售業務'Hyundai Image Quest'</div>
<div>2001</div>
<div>9月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM</div>
<div>2002</div>
<div>3月 開發1G DDR DRAM模塊</div>
<div>6月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用于高終端客戶<br />
10月 開發0.10微米、512MB DDR</div>
<div>2003</div>
<div>3月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM</div>
<div>4月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存</div>
<div>5月 采用0.10微米工藝技術投入生產</div>
<div>      超低功率256Mb SDRAM投入批量生產12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU</div>
<div>7月 宣布在世界上首次發表DDR500</div>
<div>8月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。</div>
<div>2004</div>
<div>2月 成功開發NAND閃存</div>
<div>3月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz</div>
<div>      1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證</div>
<div>7月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤</div>
<div>8月 與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協議11月 與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協議</div>
<div>2005</div>
<div>3月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤</div>
<div>4月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮</div>
<div>11月 業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM</div>
<div>12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>1月 發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)3月 業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證</div>
<div>9月 300mm研究生產線下線</div>
<div>10月 創下創立以來最高業績</div>
<div>       通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網絡</div>
<div>12月  業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊</div>
<div>          開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM</div>
<div>2006</div>
<div>年創下最高業績及利潤</div>
<div>2007</div>
<div>1月 開發出以"晶圓級封裝(Wafer Level Package)"技術為基礎的超高速存儲器模塊</div>
<div>3月 開發出世界最高速ECC Mobile DRAM</div>
<div>      發表"生態標記(ECO Mark)"</div>
<div>      與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同</div>
<div>      與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)<br />
4月 DOC H3開始大量生產</div>
<div>      在韓國清州300mm設施開工</div>
<div>      實現最高水平的營業利潤率</div>
<div>5月 業界最先獲得關于DDR3 DRAM的英特爾產品認證</div>
<div>8月 開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM</div>
<div>9月 以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP</div>
<div>10月   與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同</div>
<div>          與環境運動聯合(韓國)簽署關于在環境管理上進行合作的合同</div>
<div>11月 WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM</div>
<div>12月 成功發行國際可兌換券(global co<em></em>nvertible notes)</div>
<div>2008</div>
<div>1月 發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證</div>
<div>2月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM</div>
<div>5月 與ProMOS公司簽署關于加強長期戰略性合作的修改案</div>
<div>8月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工</div>
<div>       世界最先推出使用me<em></em>taRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM</div>
<div>       為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大</div>
<div>11月 引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM</div>
<div>12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM</div>
<div>2009年</div>
<div>1月 世界最先獲得關于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證</div>
<div>2月 世界最先開發44nm DDR3 DRAM</div>
<div>3月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證</div>
<div>4月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM</div>
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