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三星為堆疊式影像傳感器導(dǎo)入FD-SOI提高影像品質(zhì)

隨著相機(jī)功能成為差異化嵌入式裝置不可或缺的必備功能后,CMOS影像感測(cè)器(CIS)的設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)自己正面臨與各方需求日益增加的角力戰(zhàn)——包括影像品質(zhì)、相機(jī)模組的大小,以及總成本等。
  如果三星(Samsung)最近的一支智慧型手機(jī)電視廣告(大肆吹捧該新手機(jī)超酷炫的拍照功能,最后還用‘It'sNotaPhone,It'saGalaxy’的宣傳標(biāo)語(yǔ)作為結(jié)束)帶有任何暗示意味,那么當(dāng)今智慧型手機(jī)中最重要成份并不是手機(jī),而是相機(jī)。

  隨著相機(jī)功能成為差異化嵌入式裝置不可或缺的必備功能后,CMOS影像感測(cè)器(CIS)的設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)自己正面臨與各方需求日益增加的角力戰(zhàn)——包括影像品質(zhì)、相機(jī)模組的大小,以及總成本等。

  過(guò)去幾年來(lái),CIS供應(yīng)商已經(jīng)逐漸接受晶片堆疊了。在此基礎(chǔ)下,CIS能夠和影像訊號(hào)處理器(ISP)共同堆疊。針對(duì)其下一步的發(fā)展,目前至少有兩家主要的業(yè)者——Sony和三星——據(jù)稱正琢磨使用FD-SOI晶圓制造ISP,以便與CIS共同實(shí)現(xiàn)晶片堆疊。

  在日前于東京舉行的FD-SOI論壇(FD-SOIForum),一些與會(huì)者私底下討論以FD-SOI量產(chǎn)CIS的機(jī)會(huì)。

  除了Sony以外,三星正謹(jǐn)慎地思考為CIS利用FD-SOI。三星電子(SamsungElectronics)系統(tǒng)代工廠總監(jiān)YongjooJeon在論壇上介紹三星28nmFD-SOI的最新進(jìn)展時(shí),討論到CIS等現(xiàn)有應(yīng)用。
三星為堆疊式影像傳感器導(dǎo)入FD-SOI提高影像品質(zhì)
  不過(guò),在為CIS導(dǎo)入FD-SOI之前,還有一些重要的問(wèn)題必須先加以解答。

  1、對(duì)于可能選用FD-SOI于其晶片堆疊CIS的影像感測(cè)器供應(yīng)商來(lái)說(shuō),這一CIS市場(chǎng)究竟有多大?

  2、晶片堆疊CIS的真正優(yōu)勢(shì)何在?

  3、在為晶片堆疊CIS設(shè)計(jì)ISP時(shí),為什么采用FD-SOI比CMOS更好?

  CMOS影像感測(cè)器市場(chǎng)

  根據(jù)市場(chǎng)研究公司YoleDeveloppement表示,CIS在2015年約有100億美元的市場(chǎng),年成長(zhǎng)率約12%。

  Yole強(qiáng)調(diào),“CIS的市場(chǎng)成長(zhǎng)速度仍然較半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更快,未來(lái)五年的復(fù)合年成長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)計(jì)約有10.6%。”這一預(yù)測(cè)數(shù)字已經(jīng)將智慧型手機(jī)成長(zhǎng)放緩以及前/后置相機(jī)價(jià)格提高等因素納入考慮了。

  那么,哪些CIS供應(yīng)商已經(jīng)在做晶片堆疊CIS了呢?

  Yole估計(jì)在2015年,27%的CIS營(yíng)收來(lái)自于堆疊晶片,該公司形容這“相當(dāng)于Sony的市占率”。
三星為堆疊式影像傳感器導(dǎo)入FD-SOI提高影像品質(zhì)
  成長(zhǎng)中的2014-2020年相機(jī)模組產(chǎn)業(yè):營(yíng)收來(lái)源多方重疊

  (來(lái)源:YoleDevelopment)

  為什么采取晶片堆疊途徑?

  YoleDeveloppement成像與感測(cè)器市場(chǎng)分析師PierreCambou觀察目前CIS領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)圍繞著兩大關(guān)鍵參數(shù):影像品質(zhì),以及相機(jī)模組的尺寸。

  他將高品質(zhì)的相機(jī)形容為“智慧型手機(jī)的關(guān)鍵要素”。而這也帶來(lái)了畫素的競(jìng)賽,從3百萬(wàn)畫素(3Mp)到5Mp,然后是8Mp、12Mp、16Mp,如今已經(jīng)發(fā)展到20Mp。

  雖然這種發(fā)展似乎違反直覺(jué)想法,但Cambou表示,這一產(chǎn)業(yè)最近已經(jīng)觀察到“畫素大小降低了影像品質(zhì)”。事實(shí)上,較高的解析度并不一定會(huì)帶來(lái)“更好的”影像,主要原因在于鏡頭性能的限制,他解釋說(shuō)。

  他補(bǔ)充說(shuō):“目前的理想位置大約是略高于1微米畫素尺寸,以及介于12Mp到16Mp之間的解析度。”

  而在影像品質(zhì)/畫素競(jìng)賽的另一面則是相機(jī)的成本和尺寸,Cambou解釋。更重要的是注意相機(jī)模組的尺寸與高度是相當(dāng)受限的。

  “因?yàn)橹腔坌褪謾C(jī)是一種高度最佳化的裝置,任何可用的空間都會(huì)被用于電池或整合進(jìn)更棒的功能,”Cambou說(shuō),“相機(jī)的厚度直接影響到智慧型手機(jī)的厚度,”以及該裝置的外觀。

  根據(jù)Yole的觀察,整合于手機(jī)中的相機(jī)模組一直維持著相當(dāng)固定的尺寸規(guī)格,通常是10mmx10mmx6mm。不過(guò),其性能與功能則持續(xù)顯著提升(從VGA單鏡頭到16MpAF以及OIS6鏡頭相機(jī))。

  因此,Cambou表示,堆疊CIS能夠解決CIS設(shè)計(jì)人員的2大關(guān)鍵問(wèn)題——影像品質(zhì)和相機(jī)的尺寸。

  首先,堆疊的方式讓晶片設(shè)計(jì)者能使CIS制程發(fā)展僅專注于畫素性能,“而不至于對(duì)晶片的數(shù)位部份造成限制,甚至導(dǎo)致次級(jí)晶片性能退化,”Cambou解釋。在頂部的感測(cè)晶片采用背面照度(BSI)技術(shù)。BSI已經(jīng)是現(xiàn)有可用的最佳技術(shù)了,他說(shuō),“它可采用相對(duì)粗糙的制程,如0.18um至0.110um”。數(shù)位晶片可取自任何采用65nm或45nm先進(jìn)制程的供應(yīng)商來(lái)源。他總結(jié)道,“晶片的整體性能可以從最佳化的感測(cè)陣列以及最佳化的數(shù)位元件中獲益。”

  其次,Cambou解釋,藉由在數(shù)位晶片的頂部堆疊感測(cè)陣列,還可使其占位空間一分為二,從而實(shí)現(xiàn)更小型的相機(jī)模組。
三星為堆疊式影像傳感器導(dǎo)入FD-SOI提高影像品質(zhì)
  手機(jī)相機(jī)模組市場(chǎng)趨勢(shì):供應(yīng)商多半采用10mmx10mmx5mm的模組

  (來(lái)源:YoleDevelopment)

  晶片堆疊的挑戰(zhàn)

  當(dāng)然,晶片堆疊途徑也有其挑戰(zhàn)性。主要的問(wèn)題是必須“在一個(gè)合理的水平上保有良率”,Yole分析師說(shuō):“晶片的成本在堆疊過(guò)程中提高了一倍。因此,在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程都必須極其穩(wěn)健。”

  Cambou指出,“到現(xiàn)在為止,只有Sony一家公司掌握了這項(xiàng)[晶片堆疊]技術(shù),”盡管三星和Omnivision等公司也發(fā)布了堆疊晶片的版本,但一直未能擴(kuò)大其規(guī)模。

  他解釋說(shuō),純粹以經(jīng)濟(jì)問(wèn)題來(lái)看,如果該晶片的數(shù)位面積等于感測(cè)陣列的面積,堆疊過(guò)程將會(huì)更有趣。
三星為堆疊式影像傳感器導(dǎo)入FD-SOI提高影像品質(zhì)
  傳統(tǒng)背照式與新開發(fā)堆疊式CIS的比較

  為什么FD-SOI更適用?

  Yole分析師認(rèn)為,F(xiàn)D-SOI為CIS設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)“非常有趣的選項(xiàng)”,因?yàn)?ldquo;它能夠讓‘ISP’次級(jí)晶片所產(chǎn)生的熱降至最低。”

  散熱問(wèn)題至關(guān)重要——尤其是對(duì)于堆疊于其頂部的感測(cè)陣列而言。Cambou解釋,“這種熱可能會(huì)妨礙直接在數(shù)位晶片上所進(jìn)行的大量運(yùn)算。”然而,Cambou補(bǔ)充說(shuō),透過(guò)FD-SOI,則為“在APU的ISP中所進(jìn)行的運(yùn)算直接整合于堆疊的數(shù)位晶片中”開啟了可能性。

  此外,根據(jù)一位日本產(chǎn)業(yè)界人士透露,他猜測(cè)Sony也很可能正推動(dòng)在CMOS影像感測(cè)器方面的FD-SOI計(jì)劃進(jìn)展。

  一部份原因在于Sony本身就熟悉SOI晶圓,并深入探討如何利用SOI晶圓實(shí)現(xiàn)基于BSI結(jié)構(gòu)的感測(cè)晶片。再者,Sony也持續(xù)致力于為堆疊感測(cè)器直接接合互連技術(shù)。

  去年,Sony與制造與ZiptronixInc.共同簽署了一項(xiàng)專利授權(quán)協(xié)議,計(jì)劃將直接接合互連(DBI)技術(shù)應(yīng)用在影像感測(cè)器中。Ziptronix是一家專為3D整合提供低溫DBI技術(shù)的開發(fā)商與供應(yīng)商。

  Sony在2011年授權(quán)ZiBond直接接合專利。Ziptronix解釋,DBI是ZiptronixZiBond技術(shù)的進(jìn)一步延伸,可實(shí)現(xiàn)小于10微米的互連間距,并容納每平方公分約150萬(wàn)的互連連接。該制程使用標(biāo)準(zhǔn)的晶圓廠工具實(shí)現(xiàn)晶圓表面平面化,并導(dǎo)入氧化矽薄層,從而在低溫下實(shí)現(xiàn)密封接合。

  Cambou認(rèn)為,F(xiàn)D-SOI可望為下一代CIS開啟更多新的可能性。采用FD-SOI的可能應(yīng)用主要包括:

  ·運(yùn)算攝影—其中的2個(gè)或更多鏡頭可創(chuàng)造更高解析/靈敏/高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)的影像

  ·3D立體成像—類似于運(yùn)算攝影,實(shí)現(xiàn)可能用于手勢(shì)辨識(shí)等其它用途的深度影像

  ·生物相機(jī)—搭配整合的臉部與/和虹膜辨識(shí)

  ·智慧相機(jī)—可辨識(shí)更多物件

  FD-SOI的另一項(xiàng)挑戰(zhàn)在于每平方毫米所增加的成本,為良率議題帶來(lái)了更多壓力。不過(guò),Cambou強(qiáng)調(diào),“它或許可為Sony帶來(lái)加深其與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距的大好機(jī)會(huì)!”  編譯:SusanHong 
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