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臺(tái)積電神速:7nm最快明年4月試產(chǎn)

據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電近日在一次內(nèi)部會(huì)議上重新梳理了自家路線(xiàn)圖,10nm將在年底前進(jìn)入量產(chǎn),7nm最早在明年4月進(jìn)行試產(chǎn)。
臺(tái)積電神速:7nm最快明年4月試產(chǎn)

   Intel在制程工藝上的“拖延癥”給了三星和臺(tái)積電喘息的時(shí)間,而且后者也借此機(jī)會(huì)快馬加鞭,意圖逆轉(zhuǎn)局勢(shì)。

  據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電近日在一次內(nèi)部會(huì)議上重新梳理了自家路線(xiàn)圖,10nm將在年底前進(jìn)入量產(chǎn),7nm最早在明年4月進(jìn)行試產(chǎn)。

  至于Intel,明年下半年的CannonLake是10nm處理器,而第一款7nm據(jù)說(shuō)要等到2022年。雖然Intel每代相同的制程工藝在核心指標(biāo)上要領(lǐng)先臺(tái)積電、三星,但時(shí)間節(jié)點(diǎn)上落后這么多,對(duì)手也有了足夠的時(shí)間改進(jìn)優(yōu)化。

  據(jù)悉,10nm工藝下的芯片面積將比目前的16FF+減小50%,但性能提升50%,耗電減少40%。

  至于7nm,晶體管密度將提升163%.有業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),比如在1V電壓下,CPU的時(shí)鐘頻率就能沖到3.8GHz,同時(shí)溫度上限提升至150度,簡(jiǎn)直超頻神器。

  無(wú)疑,蘋(píng)果、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科等臺(tái)積電老客戶(hù)看到這樣的步伐,必然會(huì)堅(jiān)定信心、緊密合作。至于AMD,因?yàn)楹虶F抱團(tuán)直奔7nm,所以最近兩三年都是14nm打天下了。
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