三星今天在首爾宣布,正式開始10nmFinFET工藝SoC芯片的量產工作,進度業界第一,也就是領先臺積電和Intel。
去年,三星率先拿出了首個FinFET工藝的移動AP(應用處理器),也就是我們熟知,立下赫赫戰功的Exynos7420。
據悉,三星目前的10nm工藝是10LPE(low-powerearly),也就是早期低功耗版,這一點和14nm時代的進程一致,后續還會有10nmLPP(lowpowerplus,advancedpowerprocessing),預計明年下半年量產,可用于更高性能的芯片。
按照三星給出的參考值,相較14nm,10nm晶體管面積效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。韓國巨頭還表示,為了克服比例限制,邊緣技術依然沿用了之前的三重切削,以保證節點雙向鏈路的靈活性。
三星稱,明年初會正式發布首款消費級的10nm FinFET芯片,毫無疑問,Exynos8895和驍龍830系列芯片可以放心用了,今天傳出的高通10nm轉單臺積電應該是“不攻自破”了。