據韓國電子新聞5月1日報道，韓國三星電子計劃投資近3萬億韓元(約合人民幣183億元)，擴充位于京畿道華城工廠17線DRAM產能。若投資完成，華城工廠將再沒有多余空間，三星計劃在17線生產增產DRAM、3D NAND閃存以及系統半導體。
業界相關消息稱，三星電子最近向設備合作企業通報擬投資擴建17線，并在3月向部分企業下單。有推測認為，投資規模約為月產35000張300mm硅晶圓，以投資金額計約為2.5-3萬億韓元。三星將在此生產10納米DRAM，預計訂貨、設備生產等一系列步驟將在2017年年末或2018年年初完成，2017年下半年即可開始初步生產。
報道稱，由于華城工廠11線今后將專門用于生產CMOS和CIS等，三星為彌補產能損失，決定擴建17線。此前，11線在生產圖像傳感器的同時，有部分空間用來生產DRAM。
華城工廠分為4部分，內部名稱也有所不同，17線用來生產DRAM，16-2線用于生產3D NAND閃存而S3線用來生產10納米系統大規模集成電路。
業界相關人士稱，半導體行業投資以月為單位變化，競爭激烈，本次投資是為彌補11線用途轉變導致的產能不足和制程微縮損失，對DRAM供求基本沒有影響。
報道稱，三星還計劃在17線旁另建新廠，用來生產7納米系統半導體。
01月07日 18:14
