7月6日晚間消息，來自臺灣地區的行業消息稱，蘋果公司(以下簡稱“蘋果”)新一代智能手機iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND閃存芯片供應不足的問題。
自iPhone 7開始，蘋果引入了新型閃存3D NAND閃存。這種新型閃存由英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存的限制。
但來自臺灣地區的行業消息稱，蘋果的3D NAND閃存供應商SK Hynix和東芝的成品率均較低，導致產量較之前的預期低30%。
為了解決該問題，蘋果不得不將三星納入到閃存供應商之列。與SK Hynix和東芝相比，三星的3D NAND閃存成品率比較穩定，因此產量有保證。
在iPhone 7中，蘋果使用了48層NAND閃存。有消息稱， iPhone 8的NAND閃存將達到64層，意味著同等空間下將能存儲更多數據額。
凱基證券(KGI)分析師郭明錤(Ming-Chi Kuo)本周一曾表示，今年iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8將配備64GB和256GB兩種存儲空間選項。
由于財大氣粗，蘋果可以確保自己的3D NAND閃存供應量。而其他手機廠商就沒有這么幸運了，必將受到供應量有限的影響。據預計，3D NAND供應問題要到2018年才能得到緩解。(李明)
01月07日 18:14
