IC Insights發布最新McClean報告中指出，2017年DRAM和NAND的平均售價（ASP）的增長速度將于第三季度逐漸放緩，但以全年來看，DRAM ASP 的年增長率達63%，NAND ASP 增長33%，均創下了歷史新高。
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經IC insights預測，DRAM和NAND存儲器的銷量預計今年將創歷史新高，究其原因是因為產品平均售價（ASP）的快速增長。 具體來看，2017年DRAM的實際出貨量預計會有所下滑，而NAND出貨量僅增長2%，但足夠推動閃存市場的增長勢頭。圖中顯示了DRAM、NAND的季度ASP增長率：從2016年第三季度開始到2017年第二季度，DRAM的平均售價（ASP）上漲了16.8%，NAND上漲了11.6%，保持了持續增長態勢。
隨著DRAM 平均售價的快速增長，DRAM 廠商將再次加大對這一領域的支出。然而，技術研發的投入占比遠遠大于量產的投入。IC Insights 預測2017年 所有閃存的支出將用于3D NAND技術而非2D閃存。因此今年在NAND閃存的最大投入來自三星，7月4日，三星電子平澤工廠全球最大規模半導體生產線正式投產，將生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續擴充生產設備。
縱觀歷史態勢，大量資金投入通常會導致產能過剩和定價疲軟的情況出現。因此，三星、SK Hynix、Micron、英特爾、東芝/閃迪 和長江存儲，都計劃在未來幾年內大幅度提升3D NAND閃存容量，這一輪將有中國的廠家加入進來。那么在未來幾年內，產能過剩的現象極有可能再發生。
IC Insights數據顯示，DRAM季度平均售價在2016年第四季度上升到22.8%（最高），一直到2017年第二季度仍呈現強勁上漲趨勢。據IC Insights預測，DRAM ASP預計在2017年第三季度達到最高，在2017年第三季度開始小幅度下滑，標志著一個良性周期就此告一段落。
經預測，盡管今年下半年DRAM ASP的增長速度將會放緩，但DRAM ASP的年增長率仍將有63%，這比1997年的歷史最高年增長率仍高出6個百分點，創下又一個歷史新高。而2017年，NAND的年度ASP預計將增長33%，創歷史新高。 (2000年，以 NOR Flash的 ASP上漲了52%。)
01月07日 18:14
