根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產業需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動,加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自2016年第三季起已持續六個季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,明年整體供需狀況將轉為供需平衡。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來看,因為NAND制程從2D轉進3D不如預期,導致2017年非三星陣營的新增產能沒有百分之百完善利用,再加上轉換期間所帶來的產能損失,讓2017年市場呈現整體供不應求的狀態,2018年隨著非三星陣營供貨商在64/72層3D-NAND制程成熟后,整體NAND Flash產業供給量年成長率預估將達42.9%。
反觀2018年需求面狀況,在第一季淡季影響下,智能手機、PC、平板電腦等出貨量預期都將比2017年第四季來得明顯下滑,NAND Flash市場將由供不應求轉為供過于求。而綜合2018年全年度供給與需求面狀況,NAND Flash市場供需將趨于平衡。
2018年全球3D-NAND產出占比逾七成,三星技術與規模領先群雄
2017年在非三星陣營3D-NAND制程轉換不順的影響下,3D-NAND產出占NAND Flash整體產業比重約50%,2018年隨著SK海力士、東芝/西數、美光/英特爾陣營的3D-NAND比重都將提升的情況下,2018年3D-NAND的產出占比將突破70%大關。
從各廠制程進度來看,三星64層3D-NAND自今年第三季已經開始進入量產階段且今年第四季3D產能比重將突破50%,明年將提升到60-70%水平。SK海力士今年第四季3D-NAND產能占比約為總產能的20-30%水平,以48層3D-NAND為主,但明年將會專注于擴充72層3D-NAND產能,3D-NAND產能比重在2018年第四季也會來到40-50%。
東芝/西數陣營今年上半年主流制程為48層3D-NAND,預期今年第四季3D-NAND的占比將會占東芝/西數陣營整體產能約30%水平,2018年第四季目標突破50%。在產能規劃上,新的半導體廠房Fab6在2017年3月已開始動工興建,預計在2019年才會開始量產最新的3D-NAND產品。值得注意的是,由于東芝與西數目前對于新廠的合作態度與先前有所不同,所以日后可能仍有變數存在。
美光/英特爾陣營今年上半年32層3D-NAND的產出已有穩定的經濟規模,并在今年第三季度起已開始量產64層3D-NAND,目前良率已達量產水平,今年第四季3D-NAND產能比重有機會來到40-50%。2018年隨著英特爾將擴充中國大連廠第二期產能,其3D-NAND比重將于明年第四季提升到60-70%水平。