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碾壓聯(lián)發(fā)科!高通驍龍6系芯片下半年升級為10nm工藝

根據(jù)此前曝光的消息,高通下一代中端芯片驍龍670將采用10nm工藝制程,其CPU內(nèi)核將會以big.LITTLE架構的形式呈現(xiàn)。
   2月26日,聯(lián)發(fā)科在MWC2018上發(fā)布了Helio P60,它基于臺積電12nmFinFET工藝打造,采用4顆Cortex A73大核+4顆Cortex A53小核組成,CPU最高頻率為2.0GHz,GPU為Mali-G72 MP3,頻率為800MHz。

碾壓聯(lián)發(fā)科!高通驍龍6系芯片下半年升級為10nm工藝
 
  它最高支持8GB LPDDR4X內(nèi)存,閃存最高支持UFS 2.1。
  
  從規(guī)格不難看出,聯(lián)發(fā)科Helio P60定位中端,其對標的是高通驍龍6系芯片。不過對于高通來說,聯(lián)發(fā)科似乎并沒有對其構成威脅。
  
  據(jù)業(yè)內(nèi)人士@草Grass草透露,2018年下半年高通驍龍6系以上芯片全線升級為10nm工藝制程,并開始向4系滲透,對聯(lián)發(fā)科形成全面包圍之勢。
  
  這次升級,不僅使高通驍龍6系芯片性能有所提升,功耗、發(fā)熱控制也會更加優(yōu)秀,屆時對聯(lián)發(fā)科Helio P60帶來不小的壓力。
  
  根據(jù)此前曝光的消息,高通下一代中端芯片驍龍670將采用10nm工藝制程,其CPU內(nèi)核將會以big.LITTLE架構的形式呈現(xiàn)。
  
  它有2顆高端定制Cortes A-75內(nèi)核,用Kryo 300 Gol架構搭建;還有6顆低端定制Cortex A-55內(nèi)核,用Kryo 300 Silver架構搭建。低端內(nèi)核最高時鐘速度約為1.7GHz,高端內(nèi)核可達2.6GHz。
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