根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。
之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平澤市官員說法報(bào)導(dǎo)指出，三星電子將召開管理委員會(huì)議，決定是否興建第2座芯片廠，并于農(nóng)歷新年后宣布決定。報(bào)導(dǎo)指出，總投資額可能約為30萬億韓元（約27.6億美元）。
而根據(jù)《FN News》的進(jìn)一步報(bào)導(dǎo)，目前三星已經(jīng)在韓國平澤市有了一座大型工廠，這座工廠從2017年開始在進(jìn)行64層堆疊NAND Flash快閃存儲(chǔ)器顆粒的生產(chǎn)工作。而新工廠暫時(shí)名為P2 Project，就在距離舊工廠不遠(yuǎn)處。
目前該新工廠的投資額達(dá)30萬億韓元（約27.6億美元），不過暫時(shí)不清楚是初步投資金額還是總投資金額。至于會(huì)采用獨(dú)資或者是合資的方式來興建，三星目前也沒有透露更多的消息。
報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，現(xiàn)在這座新工廠已經(jīng)開始建設(shè)，而且管道鋪設(shè)工程也已經(jīng)接近尾聲。
未來，新工廠完成興建之后，將會(huì)擁有同時(shí)生產(chǎn)DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的能力。但是目前三星并沒有對(duì)外披露具體的生產(chǎn)計(jì)劃。
外界預(yù)估，屆時(shí)DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的生產(chǎn)應(yīng)該會(huì)各占產(chǎn)能的一半，而且三星會(huì)根據(jù)市場的需要進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，以此來決定DRAM或NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能高低。
根據(jù)規(guī)劃，三星的這一座新工廠將會(huì)在2019年年底完工。因?yàn)椋O(shè)備的采購和人員的到位也還需要一段時(shí)間。
因此，三星最遲也要在2018年年底決定生產(chǎn)DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的比例。
市場人士認(rèn)為，目前NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的缺口不是很大，原有的工廠產(chǎn)能也沒有達(dá)到滿載情況，但是DRAM市場目前卻處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，所以新工廠應(yīng)該會(huì)以DRAM為主。
這樣的話，只要新工廠完成后投入生產(chǎn)，DRAM的產(chǎn)能就會(huì)得到進(jìn)一步的提升，紓解當(dāng)前DRAM不足的問題。
來源：財(cái)經(jīng)新報(bào)
01月07日 18:14
