導(dǎo)讀
7月3日消息,福州中級法院裁定對美國芯片巨頭美光發(fā)出“訴中禁令”,美國部分閃存SSD、內(nèi)存條DRAM,可能將暫時遭禁止在中國銷售,而這是中國發(fā)展半導(dǎo)體被指稱“竊密”和“侵權(quán)”以來,首次成功重拳回擊。
聯(lián)華電子總裁Jason Wang在一份聲明中說:“聯(lián)華電子對今天的決定感到滿意。聯(lián)華電子在其知識產(chǎn)權(quán)方面投入巨資,并積極追求任何侵犯聯(lián)華電子專利的公司。”
全球存儲芯片企業(yè)查無中國
存儲芯片可能不像處理器和MCU那樣受到重點關(guān)注,但是也不要忽視一個小小的存儲芯片,我們?nèi)粘I钪械碾娔X,手機和可穿戴設(shè)備等許多電子產(chǎn)品都要用到存儲芯片,想想這些電子產(chǎn)品的數(shù)量,可想而知存儲芯片的數(shù)量有多么龐大,由此產(chǎn)生的經(jīng)濟也很可觀。
據(jù)了解,目前的全球存儲廠商的第一梯隊被三星、海力士、力晶科技、東芝和美光科技等占領(lǐng),完全看不到中國廠商的身影,幾大巨頭企業(yè)占據(jù)了幾乎存儲行業(yè)的全部市場份額。
近兩年,內(nèi)存價格的瘋漲,讓中國很多企業(yè)苦不堪言,研發(fā)生產(chǎn)屬于中國的內(nèi)存產(chǎn)品,不僅是為了中國企業(yè)省錢,也關(guān)系到中國企業(yè)能否沖擊全球的高端科技行業(yè)。近些年來,集成電路、存儲芯片等產(chǎn)業(yè)在政府的大力扶持下,雖然和巨頭企業(yè)在技術(shù)上還有很多的差距,但中國企業(yè)正在努力追趕。
有專家認為,我國在發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)時,優(yōu)先考慮發(fā)展內(nèi)存,無論是在產(chǎn)值還是技術(shù)難度上,內(nèi)存都是最佳的選擇,而且有積累的經(jīng)驗。經(jīng)過多年的發(fā)展,我國內(nèi)存廠商已經(jīng)出現(xiàn)在了內(nèi)存市場,包括紫光、合肥長鑫、福建晉華等。
國產(chǎn)存儲三大陣營的進度
有媒體報道,紫光總投資額達3萬億日元的湖北省武漢市半導(dǎo)體存儲器工廠將于年內(nèi)投產(chǎn)。在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)工廠即將建成,試制生產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備也開始進場。紫光集團計劃今后10年投資1000億美元。
在4月份的合肥集成電路重大項目發(fā)布會上,合肥長鑫宣布12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,待裝機完成之后,從2018年下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。
長鑫存儲技術(shù)有限公司的董事長王寧國表示:合肥長鑫DRAM內(nèi)存芯片一期(一廠廠房)已于2018年1月完成建設(shè),并開始安裝設(shè)備;2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品;2019年底有望達到2萬片/月的產(chǎn)能;2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè);2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術(shù)研發(fā)。在將來,合肥長鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺,來大力扶持處在行業(yè)上游的、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進程。
福建晉華和臺灣代工大廠聯(lián)華電子合作12 寸隨機存取存儲器(DRAM)生產(chǎn)線 ,預(yù)計于 2018 年下半年投入使用。總計將投入 53 億美元,并將于 2018 年第 3 季正式投產(chǎn),屆時導(dǎo)入 32 納米制程的 12 寸晶圓月產(chǎn)能,預(yù)計達到 6 萬片的規(guī)模。
中美貿(mào)易戰(zhàn)和中興事件為中國企業(yè)敲響了自主研發(fā)的警鐘,沒有自主研發(fā)的核心技術(shù),就要永遠受制于人。2018年是中國存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要節(jié)點,紫光、合肥長鑫和福建晉華的發(fā)展將對中國存儲產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生影響。雖然還沒有和三星、海力士、美光等巨頭企業(yè)的競爭能力,但相信中國三家存儲企業(yè)的發(fā)展會對存儲產(chǎn)業(yè)的格局產(chǎn)生影響。