今年以來,Flash閃存供應充足,SSD的價格從去年的高位被“打回原形”,消費者終于可以慢慢挑選了。
據Chosun Ilbo報道,韓國產業鏈的消息人士透露,三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預計是64億美元,2019年更是會提高到90億美元。
這些投入首先是用于提高3D閃存的產能,包括位于平澤市和中國西安市的工廠,其次是先進技術。本周,三星宣布量產第五代3D V-NAND閃存,采用96層堆疊、單Die 32GB容量,領先競爭對手兩年的時間。
IC Insights分析指出,三星釋放信號僅是個開端,未來幾年,SK海力士、美光、Intel、東芝、西數/閃迪、長江存儲/武漢新芯等都表態在未來擴充閃存產能,由此可能會出現供應量剎不住車的超調風險。