三星今天宣布量產新一代的8Gb LPDDR5內存顆粒，加上此前的16Gb GDDR6、16Gb DDR5內存顆粒，三星在新一代內存標準上已經完成布局，目前正在加速量產中。與三星、美光、SK Hynix相比，國內公司在DRAM內存芯片生產上依然是0，還處于研發階段。紫光旗下的西安紫光國芯雖然有DDR3、DDR4內存顆粒生產，不過技術來源還是已經破產的奇夢達。
如今又一家國產公司開始生產內存芯片了，合肥長鑫已經投產8Gb LPDDR4芯片。
2017年中國進口了896億美元的存儲芯片，幾乎100%依賴進口，因此存儲芯片也是目前國內優先發展的半導體產業。
國內目前有三大存儲芯片基地，紫光主導的長江存儲以武漢為基地，主要生產3D NAND閃存，預計明年正式投產32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內存芯片作為重點的有兩大陣營，福建晉華集團聯合臺聯電在晉江建設DRAM晶圓廠，此前與美光發生專利糾紛導致美光芯片被福州法院禁售的就是與聯電、晉江投資集團有關。
另一個DRAM基地是合肥長鑫，這個項目最初報道說是跟前日本爾必達董事長成立的公司合作，不過后者現在幾乎淡出，合肥長鑫現在的合作方是兆易創新，去年10月份兆易創新宣布斥資180億元進軍DRAM市場，與合肥市產業投資控股有限公司合作，目標是研發19nm工藝的DRAM內存，預計在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。
合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產能將占到全球DRAM內存產能的8%。
來自半導體行業觀察的爆料稱，合肥兆鑫已經正式投片，生產的規格為8Gb LPDDR4，這是國產DRAM產業的一個里程碑。
此外，合肥兆鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。
根據計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。
從這次投產的時間來看，兆易創新/合肥長鑫的內存研發、生產正在按部就班進行，推出8Gb LPDDR4只是計劃中的進度而已，不過從技術突破來看這應該是國內公司首次投產LPDDR4內存，此前紫光國芯計劃提供的也只是DDR4顆粒。
不過話說回來，不論是DDR4還是LPDDR 4顆粒，國內公司投片生產雖然可喜可賀，但是從試產到大規模上市再到形成競爭力依然有很長的路要走，明年底的產能也不過2萬片晶圓/月，即便不考慮明年國際主流是LPDDR4的技術差距問題，2萬片晶圓/月的產能對全球每月上百萬片晶圓的產能來說依然不會有什么重大影響。
01月07日 18:14
