8月9日是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具里程碑的日子，這天，禁錮數(shù)十年的高端生產(chǎn)技術(shù)被中芯國(guó)際一紙財(cái)報(bào)公開(kāi)書(shū)文末，“14納米FinFET技術(shù)已導(dǎo)入客戶”短短幾行字給徹底解放，正式宣示中芯14納米制程研發(fā)成功，這也是中國(guó)目前最高端的芯片制造工藝技術(shù)的正式落地。
而這一天，是中芯聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松加入中芯后第298天。而中芯口中這位神秘的“客戶”，業(yè)界推測(cè)，中國(guó)第一大IC設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體的呼聲極高。
臺(tái)積電、三星拼7納米肉搏戰(zhàn)，中芯14納米將快速追上
對(duì)比臺(tái)積電、三星電子今年進(jìn)入7納米技術(shù)肉搏戰(zhàn)，中芯國(guó)際從28納米走到14納米FinFET技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展看似是順?biāo)兄?，但這一步也走了許多年，直到2017年10月16日延攬前三星、臺(tái)積電研發(fā)高層梁孟松加入，中國(guó)的高端技術(shù)工藝突破口才曙光乍現(xiàn)。
中芯國(guó)際在8月9日發(fā)布最新一季度財(cái)務(wù)報(bào)告明確宣布，14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展，第一代14納米FinFET技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入生產(chǎn)階段，而在28納米工藝節(jié)點(diǎn)上，除了PolySiON技術(shù)和HKC技術(shù)外，28納米HKC+技術(shù)也完成開(kāi)發(fā)，同時(shí)HKC技術(shù)持續(xù)上量且良率顯著提升。
雖然中芯國(guó)際沒(méi)有透露這位“客戶”的身份，但根據(jù)行業(yè)內(nèi)人士判斷，第一個(gè)捧場(chǎng)中芯14納米FinFET技術(shù)的客戶由海思出線的機(jī)率極高，另外，也傳出高通和博通兩大IC設(shè)計(jì)公司也是中芯亟欲網(wǎng)羅進(jìn)入“14納米家族”的兩大目標(biāo)群。
中芯國(guó)際成功研發(fā)14納米并進(jìn)入生產(chǎn)后，將成為中國(guó)自主研發(fā)的最高端工藝技術(shù)，追平臺(tái)積電位于南京采用16納米FinFET技術(shù)生產(chǎn)的12寸廠。再者，以全球半導(dǎo)體技術(shù)陣營(yíng)的角度來(lái)看，中芯在14納米FinFET技術(shù)上的成功，將會(huì)開(kāi)始用力追趕聯(lián)電，給對(duì)方不小壓力，加上聯(lián)電也計(jì)劃到上海A股進(jìn)行上市，未來(lái)彼此交鋒的機(jī)率只會(huì)多、不會(huì)少。
2015年時(shí)，中芯國(guó)際曾與高通、比利時(shí)微電子imec合作開(kāi)發(fā)14納米技術(shù)工藝，計(jì)劃以跨國(guó)合作的方式來(lái)打造中國(guó)最先進(jìn)的集成電路研發(fā)平臺(tái)，不過(guò)，這樣的合作模式并沒(méi)有成功，直到網(wǎng)羅梁孟松加入中芯后，成為突破中國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)藩籬的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。
梁孟松讓成立18年的中芯進(jìn)入“轉(zhuǎn)骨期”，業(yè)界認(rèn)為“神乎其技”
8月9日是梁孟松加入中芯國(guó)際的第298天，他用了不到一年的時(shí)間，讓停滯將近4年的技術(shù)工藝往前大步跨進(jìn)。他究竟是如何辦到的？如何以298天的時(shí)間，讓已經(jīng)成立18年的中芯國(guó)際進(jìn)入脫胎換骨的“轉(zhuǎn)骨期”，有業(yè)界人士以“神乎其技”來(lái)形容這項(xiàng)得來(lái)不易的成就。
而就在同一天，上海市市委書(shū)記李強(qiáng)也進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況的調(diào)研，實(shí)地視察半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)旗下的12寸晶圓廠上海華力微，以及半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備商供應(yīng)商中微半導(dǎo)體，還有中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)旗下生產(chǎn)智能卡和安全芯片的華大半導(dǎo)體。
圖|上海市市委書(shū)記李強(qiáng)調(diào)研中芯國(guó)際，梁孟松（左）和中芯董事長(zhǎng)周子學(xué)陪同介紹
中芯國(guó)際身為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的領(lǐng)頭羊，經(jīng)歷上一任首席執(zhí)行官邱慈云協(xié)助公司將營(yíng)運(yùn)結(jié)構(gòu)大改造后，現(xiàn)在的聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松和趙海軍，一人負(fù)責(zé)高端技術(shù)研發(fā)，另一人負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造的管理，協(xié)力讓中芯國(guó)際突破高端技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)瓶頸。
梁孟松和趙海軍雙雙表示，中芯正處于過(guò)渡時(shí)期，在推進(jìn)技術(shù)，建立平臺(tái)和構(gòu)筑合作關(guān)系上已經(jīng)看到令人鼓舞的初步進(jìn)展，同時(shí)，中芯今年會(huì)朝著高個(gè)位數(shù)的營(yíng)收成長(zhǎng)邁進(jìn)。
如今，梁孟松領(lǐng)軍的研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功將14納米FinFET導(dǎo)入客戶端應(yīng)用，下一階段目標(biāo)是將該技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，希望2019年進(jìn)入量產(chǎn)并且擴(kuò)大客戶群。
中芯國(guó)際在14納米FinFET奠定基石后，公司指出下一步是推進(jìn)第二代的FinFET工藝技術(shù)，以追求更好的PPAC（power-performance-area-cost）。
業(yè)界期待，梁孟松加入后的中芯國(guó)際在高端技術(shù)上會(huì)快速推進(jìn)，14納米FinFET只是第一步，極可能在2019年就會(huì)緊接著推出第二代的FinFET技術(shù)，且因?yàn)榕_(tái)積電、三星都已進(jìn)入7納米工藝，為此，第二代FinFET可能會(huì)定調(diào)為一個(gè)全新的制程技術(shù)，例如“8納米”或是“9納米”工藝節(jié)點(diǎn)，跳過(guò)傳統(tǒng)業(yè)界“10納米”的命名，也作為和7納米工藝之間的區(qū)隔。
FinFET技術(shù)延續(xù)摩爾定律，可一路做到7納米工藝
這次讓國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)曙光乍現(xiàn)的14納米FinFET為什么很重要？這也是中國(guó)第一個(gè)自主研發(fā)的FinFET技術(shù)。
細(xì)數(shù)全球量產(chǎn)FinFET架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體大廠包括英特爾、臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries、聯(lián)電等，上一代傳統(tǒng)的2D電晶體架構(gòu)發(fā)展至28納米工藝節(jié)點(diǎn)后，因其物理限制導(dǎo)致很難再將該技術(shù)往下微縮，現(xiàn)在所謂的22納米工藝也都是28納米工藝的延續(xù)，因此，28納米也常被稱為是依循傳統(tǒng)摩爾定律的最后一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
全新的FinFET技術(shù)是3D鰭式電晶體架構(gòu)，是目前半導(dǎo)體的主流技術(shù)，也憑借該技術(shù)架構(gòu)延續(xù)摩爾定律的壽命。
英特爾從22納米開(kāi)始發(fā)展FinFET技術(shù)工藝，三星在14納米工藝世代、臺(tái)積電在16納米工藝開(kāi)始導(dǎo)入FinFET架構(gòu)，聯(lián)電在14納米導(dǎo)入，GlobalFoundries的14納米FinFET技術(shù)則是與三星做技術(shù)授權(quán)，放眼全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，無(wú)論是10納米或是7納米工藝，也都是采用FinFET技術(shù)架構(gòu)。
近期國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展雖然處于艱困時(shí)期，但卻激發(fā)更多的突破與創(chuàng)舉，更有不少具里程碑的好消息傳出。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)新技術(shù)Xtacking驚艷全球，中國(guó)芯片發(fā)展不畏打壓力求突破
日前，身為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)陣營(yíng)代表的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，由CEO楊士寧領(lǐng)軍宣布其全新的Xtacking技術(shù)架構(gòu)問(wèn)世，在國(guó)際級(jí)的閃存峰會(huì)（FMS）露臉，更獲得“最具創(chuàng)新初創(chuàng)閃存企業(yè)”大獎(jiǎng)，該公司開(kāi)發(fā)成功的32層3D NAND技術(shù)計(jì)劃在第四季實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而楊士寧過(guò)去也曾經(jīng)擔(dān)任過(guò)中芯國(guó)際的首席運(yùn)營(yíng)官。而未隔幾日，中芯國(guó)際又傳來(lái)14納米FinFET工藝技術(shù)將出現(xiàn)歷史性的里程碑突破發(fā)展。
盡管中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景看似阻力重重，但從近期各大廠端出的成績(jī)單來(lái)看，這些阻力或者說(shuō)壓力，反而已然逐漸形成另一種形態(tài)的動(dòng)力，透露的是國(guó)內(nèi)各家芯片廠無(wú)論是技術(shù)開(kāi)發(fā)，或是生產(chǎn)制造都是全力往前沖刺，越是受到打壓，越要踩油門前進(jìn)。
而且隨著中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等接二連三的技術(shù)突破好消息傳出，無(wú)疑是為國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入全新動(dòng)能，這不只是心理層面上的激勵(lì)作用，更具有大步向前的實(shí)質(zhì)性意義，凸顯國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一次關(guān)鍵性跨步躍進(jìn)。
01月07日 18:14
