紫光正在加快國產內存的腳步,之前他們曾表示,旗下DDR4芯片正在開發中,預計年底前完成并推向市場。據中新網報道稱,紫光成都存儲器制造基地項目已經在昨天正式開工,而趙國偉表示,這個基地未來將在投資240億美元建設新的閃存工廠,主要生產3D NAND閃存。
按照紫光的說法,目前他們還在研發128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存,而今年年底將會量產32層64Gb核心的3D NAND閃存,明年會量產64層堆棧128Gb核心容量的閃存。
相比紫光來說,2019年開始中國大陸地區將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產內存、閃存,其中進展最快的是長江存儲,其正在研發64層的3D NAND閃存,計劃在2018年年底前推出樣品。至于合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4芯片量產時間定于2019年上半年。
另外,紫光之前還曾表示,在DRAM內存芯片上,該公司已具備世界主流設計水平,但是產能無法保證,產品銷量不會太大。