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臺積電將于2021年量產(chǎn)5+納米半導(dǎo)體

臺積電也將在5納米量產(chǎn)后一年推出5+納米,與5納米制程相較在同一功耗下可再提升7%運算效能,或在同一運算效能下可再降低15%功耗。5+納米將在2020年第一季開始試產(chǎn),2021年進入量產(chǎn)。
   5月8日消息,據(jù)臺灣工商時報報道,臺積電將于2021年量產(chǎn)5+納米半導(dǎo)體。
 
  據(jù)報道,臺積電日前宣布將推出6納米制程,主要采用與7納米兼容的設(shè)計規(guī)則及硅智財模型,但會比7+納米多一層EUV光罩,芯片密度則會提升18%。6納米推出的時間較晚,明年第一季才開始進入風(fēng)險試產(chǎn),而且是在明年5納米量產(chǎn)之后才進入量產(chǎn),主要是讓還不想進入5納米技術(shù)的客戶,可以提供低風(fēng)險的設(shè)計微縮,并讓7納米芯片采用者有一個降低成本的選項。
 
  臺積電針對5納米打造的Fab 18第一期已完成裝置并順利試產(chǎn),預(yù)期明年第二季拉高產(chǎn)能并進入量產(chǎn)。與7納米制程相較,5納米芯片密度增加80%,在同一運算效能下可降低15%功耗,在同一功耗下可提升30%運算效能。
 
  臺積電在5納米導(dǎo)入極低臨界電壓(ELVT)晶體管設(shè)計,在ELVT運算下仍可提升25%運算效能。臺積電也將在5納米量產(chǎn)后一年推出5+納米,與5納米制程相較在同一功耗下可再提升7%運算效能,或在同一運算效能下可再降低15%功耗。5+納米將在2020年第一季開始試產(chǎn),2021年進入量產(chǎn)。
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