6月10日消息,日前備受矚目的華虹無錫基地項目建設迎來關鍵性節點。6月6日,華虹無錫集成電路研發和制造基地(一期)12英寸生產線建設項目首批光刻機順利進廠,這意味著該項目從基建階段進入了試生產準備階段。
作為無錫產業發展的“龍頭工程”,華虹無錫基地項目自落地建設以來,吸引了眾多關注目光。該項目是華虹集團融入長三角一體化發展的重大戰略項目,也是無錫市歷史上引進的最大單體投資額項目。項目總投資100億美元,一期投資25億美元,新建月產能為4萬片的12英寸特色集成電路生產線,支持5G、物聯網、汽車電子等新興領域的應用。
據了解,華虹無錫基地項目2018年3月2日開工、4月3日一期樁基工程啟動、10月12日廠房鋼屋架完成吊裝、12月21日主廠房結構封頂、今年4月17日項目正式通電……460多個日日夜夜里,華虹無錫基地項目高效率推進,主要工程節點均較原計劃提前完成。華虹宏力半導體制造有限公司總裁、華虹半導體(無錫)有限公司總經理唐均君表示,目前已有35臺相關設備搬入,其中25臺已經完成安裝調試,預計9月進行試生產,12月形成量產能力。
中國半導體產業與世界一流水平的差距,其中封裝方面差距最小,最快5年追上,半導體制造上則需要10-15年,這部分也是國產最弱的一部分了。在半導體制造方面,國內工藝最先進的主要是SMIC中芯國際,28nm已經量產,14nm今年下半年量產。其次就是上海華虹集團,該公司建設了多個半導體制造項目,其中華虹六廠將在明年量產14nm工藝。
中國芯片距世界一流有多遠?
近日,北京清芯華創投資公司投委會主席陳大同博士表示,中國半導體產業經歷了四個階段,分別為從1958-1979年封閉式發展,1979-2000年艱難轉型時期,2000-2014年中國逐漸處于市場主導地位,2014年以后在國家和政府指引下,產業迎來高速發展。
按照陳博士的觀點,當前,中國在封裝上已基本追上世界水平,但在設計方面還要5-10年,在制造、存儲器和代工領域需要10-15年,在設備/材料領域需要10-20年才能趕超世界水平。
陳大同博士認為,從中興事件、福建晉華、再到孟晚舟事件、最后到華為禁運,中美博弈的根本則是占領科技發展的制高點。中國半導體也陷入了中美博弈的漩渦之中,這就給中國集成電路帶來了嚴峻挑戰,但與此同時,這也會是一個機遇。
在陳大同看來,現在正是半導體產業領域創業的黃金時代。