早在2018年9月，全球第二大NAND閃存芯片制造商東芝就曾表示，公司已經在準備IPO，最快在兩年內實現上市。到了2019年5月底，據外媒報道稱，東芝計劃在今年下半年或明年上半年在東京股市掛牌上市。
同樣是在2018年9月，東芝與西部數據合作計劃在日本四日市開始新產線的量產，而這是東芝第五個產線，除此之外，兩家公司在日本北部的北上市建造了一座新的工廠，計劃生產3D NAND。
不過，6月21日，據媒體報道稱，東芝與西部數據合作的位于四日市的NAND芯片工廠，由于停電造成部分產線停擺，停工的產線已經5天暫時還未恢復。而在日前，美國存儲芯片大廠美光也由華為事件而導致延遲新廠投資計劃！
傳東芝因停電造成部分NAND產線停產5天未恢復
或延遲IPO上市時間
據外媒報道稱，預計在2019年內進行IPO上市的東芝存儲（TMC），傳出其位于日本三重縣的四日市工廠，于日前發生了停電意外。據傳這起停電意外造成部分產線停工，在截至周四20日為止，停工中的產線仍未能復工。而此起意外，也勢必對該公司的業績造成影響，并可能造成IPO上市時程的延誤。
日媒指出，根據日本中部電力說法，當地在日本時間6月15日的下午6點25分發生了停電意外，并在約13分鐘后恢復正常供電。受到此起停電意外影響的TMC四日市工廠，是該公司生產NAND快閃存儲的主力工廠。產線使用12寸（300mm）晶圓，主要產品為3D-NAND快閃存儲。
對此，與TMC合作密切的NAND閃存儲控制芯片廠群聯電子在20日晚間表示，該公司目前尚有充足庫存，可應付短期的急單需求，以及2到3個月的生產接單需求。而對于TMC四日市工廠的停電傳聞，群聯方面則是沒有發表評論。
群聯表示，除了TMC之外，該公司與威騰、SK海力士、英特爾等廠，在存儲的供應方面均有長期的合作協議。該公司會定期的向國際大廠采購NAND快閃存儲，并借此分散對特定廠商的依賴。
在今年5月20日，WSJ曾經報導日本的銀行業將提供1.3兆日圓(約118億美元)的融資，幫助TMC從美國蘋果、戴爾、希捷、金士頓等四家公司手上買回該公司的優先股。在簡化該公司的資本結構后，將有利未來在股票市場進行上市，并讓TMC在資本密集的科技產業，透過公開募股來獲取資金。
消息人士指出，蘋果、戴爾、希捷、金士頓等四家公司，將在一項再融資計劃當中，放棄他們手中所持有價值約40億美元的東芝存儲器優先股。據了解，2017年，東芝同意以2萬億日元(約合180億美元)的價格將旗下芯片業務部門(即東芝內存)出售給貝恩資本財團。根據協議，東芝將持有約東芝內存40%的股份。其他貝恩聯盟的成員包括蘋果公司、韓國芯片制造商SK海力士、戴爾科技、希捷科技、金士頓科技和豪雅。
這幾家美國公司都是東芝存儲器在半導體方面的客戶，他們在去年6月協助貝恩資本(Bain Capital)所主導的美日韓聯盟，從東芝手中買下其半導體部門。這項交易，不僅阻止東芝半導體部門被西數收購，也進一步防止韓國三星電子在市場上坐大。
根據消息人士說法，日本的銀行業將提供1.3萬億日元(約118億美元)的融資，幫助東芝存儲器從四家美國公司手上買回該公司的優先股。而簡化后的資本結構，也將有助于該公司未來在股票市場更容易上市。并讓東芝存儲器在這門資本密集的行業，透過公開募股來獲取資金。
四家美國公司將在5月底前，以約45億美元的代價，將持有的優先股賣給東芝存儲器。而這幾家公司，已經從這項投資獲得數億美元的進帳。蘋果與金士頓拒絕評論，而戴爾和希捷則是未作出回應。
東芝存儲器計劃于2019年下半年，或2020年上半年，在東京股市掛牌上市。進行IPO的時間點，將視半導體以及股票的市況而定。像是近來半導體的市場價格重挫，就不是一個理想的時機。
受華為禁令影響
美光延遲新廠投資計劃
此外，日前根據日本媒體《日刊工業新聞》報導，由于美國對中國華為祭出禁售令的影響，使得美國存儲大廠美光（Micron）延遲了在日本廣島的新廠投資計劃。原因在于對華為的禁售令，導致對整體存儲市場需求的下滑，因此美光不得不修正之前的計劃。
據了解，美光位于日本廣島的DRAM工廠（Fab 15）採用的是最先進制程技術。其中，該廠最新的生產廠房B棟于本月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴大了10%，并計劃進行新一代DRAM的生產，以縮小與DRAM產業龍頭三星的差距。以2019年第1季的全球DRAM市場占有率來看，全球三大廠中，三星的DRAM市場占有率為42.7%，SK海力士則以29.9%排名第二，美光市占率在23%位居第三。
報導指出，美光在日本廣島的工廠實際上是在2012年買下爾必達（Elpida）后納入旗下的，原計劃在2019年中期在該廠展開1z奈米制程的下一代DRAM生產。美光原本表示，將在今后數年內于廣島工廠投資數十億美元，發展新一代DRAM存儲的生產，不過，據傳該廠已動工的F棟廠房部分擴建，原本預計在2020年的7月份完成興建，如今已經延遲到2021年的2月，足足向后延遲了7個月的時間。
之前，市場調查研究機構TrendForce旗下存儲儲存研究（DRAMeXchange）就研究指出，在美國祭出華為禁售令的影響下，華為的智慧型手機與伺服器生產將面臨嚴重出貨障礙，衝擊DRAM產品旺季需求與價格落底時間。因此，下修第3季DRAM價格展望，將原先預估跌幅從10%，擴大至10%到15%之間。
對于華為禁令事件，此前據媒體報道稱，華為已向三星電子等南韓半導體/面板企業要求、希望能持續維持零件供應，報導指出，華為移動事業部高層于5月23、24日和三星、SK Hynix、LG Display(LGD)等韓國大企業高層會面，要求依照現行的契約條件、履行零件供應。在會面上，華為也向韓企說明歐洲、非洲等地的智能手機銷售量可能將因美國禁令而減少的因應對策。華為指出，計劃將現行29%的中國市場市佔率提高至50%、建構出不動如山的中國龍頭地位，因此希望DRAM的供應量不要減少。
據了解，華為的存儲芯片主要供應商包括三星、SK海力士、美光、東芝等等，中國供應商比例相當低，約不到1%，目前美光以及相關下游模組廠已不出貨華為，華為最有可能往三星以及SK海力士求援。
事實上，華為早知道會在中美貿易戰以及5G競爭下，遲早會有一天供應鏈或市場會被美國封殺，因此早在華為事件爆發之前，就開始進行零組件的積極拉貨備料，而在正式封殺令開始后，業內人士更傳出，華為高層都在為此事提前作戰，對存儲芯片的拉貨動作更大。
臺灣群聯董事長潘健成也證實，華為已針對Nand flash進行掃貨，在此情況下，其它的系統廠商也會跟進，有利于Nand flash的需求反彈。華為事件對于供應鏈的轉移也有影響，以Nand flash來說，全球供應商的廠商較多，有7-8家業者可生產，華為在Nand flash先前較多是跟美光采購，現在則較多轉往韓系供應商。
Nand flash這兩年來因供應的廠商家數較多、各家業者又有新產能不斷開出，需求面又因為手機銷售不振等因素，需求成長較平緩，造成這兩年來Nand flash價格一路走跌，今年仍持續是跌勢，其中又以三星是帶頭將價格往下殺，目前除了三星Nand flash業務在成本區間左右，其它Nand flash廠商幾乎都是賠錢生產。
但業者預期，Nand flash原廠不可能一直忍受虧損，再加上兩大Nand flash廠商這兩年來都是新人上任主導公司營運，背負繳出營運成績單的壓力，在此情況下，Nand flash下半年一路跌勢的狀況應該可止穩。
至于在DRAM業務，相對供應商則較為穩定，目前則是以全球三大廠寡占，且在Nand flash虧損失血下，三大廠要靠DRAM來賺錢，所以會維持DRAM的優勢，不會隨意擴產維持供給穩定；而在需求上，去年第四季DRAM庫存高開始進行消化，今年第一季庫存仍是偏高，目前庫存回到略高于合理水位一點，隨著DRAM、伺服器、PC、繪圖以及手機記憶體需求回升，下半年DRAM再跌空間有限，并有可能率先Nand flash反彈。
今年以來，DRAM現貨市場價格跌幅沉重，市場預期，DRAM第三季價格還會再跌，但跌幅會縮小，第四季有望止穩，主因在去年過度拉貨下，去年底到今年第一季是庫存高峰，目前庫存都已回到近正常水準，第三季價格再看旺季需求狀況，但因華為事件掀波瀾，供需平衡點會受到影響。
TrendForce還表示，中美貿易戰升溫，導致下半年DRAM需求急凍，因此下修華為在2019年的終端出貨量。此外，不確定性氛圍上升使得資料中心的資本支出放緩，預計2019年底前，體質較弱的DRAM供應商恐將認列帳面現有庫存損失，財報轉為虧損。所以，在這樣的市場份為下，美光對于先前規劃的投資計劃，當前不得不做修正與調整。
01月07日 18:14
