8月17日消息，美光本周在新加坡舉辦了慶祝Fab 10工廠擴(kuò)建順利完成的儀式。盡管新的潔凈室不會增加該公司每月的晶圓產(chǎn)能，但卻能讓美光技術(shù)使用更先進(jìn)的3D NAND工藝技術(shù)，生產(chǎn)具有更高層數(shù)和比特位密度的產(chǎn)品。實際上，F(xiàn)ab 10 Expansion是由多個部分組合而成的，包括了此前的Fab 10N和Fab 10X設(shè)施。
新加坡是美光閃存生產(chǎn)重要據(jù)點，臺灣和日本則是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)重心，近幾年美光擴(kuò)大亞洲投資，日本持續(xù)推升DRAM先進(jìn)制程，在臺中興建美光海外首座3D DRAM封裝廠，且和臺中、桃園DRAM廠建構(gòu)成為美光的DRAM卓越中心。美光并承諾擴(kuò)大臺灣DRAM制造規(guī)模，相關(guān)計劃已提交臺灣地區(qū)中科管理局審核，希望政府協(xié)助解決土地、用水和用電等問題。
這座新廠是美光NAND卓越中心的一項，美光將充分利用在新加坡基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)專長的長期投資，透過擴(kuò)建無塵室并轉(zhuǎn)制程推進(jìn)至3D NAND Flash。
此次美光擴(kuò)建工廠后，雖然不會增加晶圓產(chǎn)能，但是更高水準(zhǔn)的潔凈室能讓美光繼續(xù)生產(chǎn)更高層數(shù)的3D NAND產(chǎn)品，3D NAND層數(shù)越多，所需要刻蝕的時間也就越長，這要求潔凈室的環(huán)境符合更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。
官方指出，新3D NAND生產(chǎn)設(shè)施占地16.5萬平米。至于潔凈室的空間、以及其它擴(kuò)展功能部分，美光暫未透露。
目前該工廠正在設(shè)備安裝階段，預(yù)計可在2019下半年（未來4-5個月）投產(chǎn)96層3D NAND。至于具體的生產(chǎn)安排，將依實際需求而定。
在設(shè)備齊全之后，這里也不會增加任何新的晶圓容量，而是容納更多3D NAND層數(shù)制造所需的、更先進(jìn)的工藝設(shè)備。
據(jù)悉，隨著3D NAND層數(shù)的增加，每片晶圓都需要在化學(xué)氣相沉積（CVD）機(jī)器中耗費更多的時間，意味著蝕刻的工藝流程會被拖得更久。
此外，美光還會運用更多奢侈的生產(chǎn)技術(shù)。為了保持晶圓處理數(shù)量的一致性，閃存制造商必須在潔凈室中加裝額外的CVD和蝕刻機(jī)，這對設(shè)施空間提出了額外的要求。
綜上所述，盡管Fab 10 Expansion可能不會提升美光新加坡工廠的每月晶圓數(shù)量，但確實可在NAND閃存生產(chǎn)方面實現(xiàn)一定的增長。
最后，除了新的制造工廠，美光還將擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù)。其NAND卓越中心著力進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品工程，以進(jìn)一步提升Fab 10工廠的產(chǎn)能和良率。
美光強(qiáng)調(diào)，在新加坡興建新廠，是3D NAND Flash技術(shù)進(jìn)階節(jié)點的技術(shù)轉(zhuǎn)型，因應(yīng)5G、AI和自動駕駛等領(lǐng)域的客戶需求，同時也提升美光未來成長動能。
01月07日 18:14
